Rambus再揮專利大棒 美光被訴內存專利侵權

2006-01-16
　　Rambus在向法庭提出的訴狀中稱，美光在DDR、DDR2、GDDR2、GDDR3、RLDRAM等產(chǎn)品中侵犯了Rambus的多項專利。

　　上周末，Rambus在法院禁止向美光半導體(Micron)提出訴訟的期限到期后，迫不及待地在美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地方法庭就專利侵權問題向美光提出新的訴訟。

　　Rambus在向法庭提出的訴狀中稱，美光在DDR、DDR2、GDDR2、GDDR3、RLDRAM等產(chǎn)品中侵犯了Rambus的多項專利，這些專利包括降低內存寫入延遲技術、內存控制器設計技術、內存自動預先充電技術等18項技術。Rambus表示，在起訴前已經(jīng)同美光進行過廣泛的溝通，但是美光仍繼續(xù)銷售包含上述技術的產(chǎn)品，Rambus為了維護自己的權益對美光提出訴訟，同時針對這一訴訟庭外和解的大門已經(jīng)關閉。對于索賠的具體數(shù)額Rambus并沒有說明，但是市場分析人士認為Rambus至少會要求美光支付3%的銷售額作為賠償。

　　事實上，除了美光之外，幾乎全球所有主要半導體廠商如三星、現(xiàn)代、南亞都在Rambus的訴訟名單上，2005年Rambus剛剛在與三星的專利糾紛中獲得初步勝利以后，Rambus的股價已經(jīng)上漲了33美元。

　

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